Τεχνικός Υπολογιστών CompTIA A+

Με τις πληροφορίες που έχετε ήδη διδαχθεί στα προηγούμενα κεφάλαια πρακτικά είστε έτοιμοι να επιλέξετε τις κατάλληλες μνήμες για ένα σύστημα. Παρόλα αυτά επειδή οι εταιρείες πώλησης μνημών RAM κυρίως για λόγους διαφήμισης και marketing εισάγουν ακόμα περισσότερα χαρακτηριστικά στις ονομασίες και περιγραφές των προϊόντων τους, θα κάνουμε μία πλήρη αναφορά και αυτών των χαρακτηριστικών, συνοψίζοντας και όλα όσα έχουμε αναλύσει μέχρι στιγμής, ώστε να μπορείτε να καλύψετε την οποιαδήποτε ερώτηση προέλθει από τους πελάτες σας.

---

Πίνακας 6.7 Παραδείγματα ονομάτων DIMM

Α/Α	Memory module	How it might be advertised (Πώς μπορεί να διαφημίζεται)
1	2 GB	DDR3 PC3-10600 • CL=9•UNBUFFERED•NON-ECC•DDR3-1333•1.35V
2	2 GB	DDR3 PC3-12800E•CL=11•REGISTERED•ECC•DDR3-1600•1.35V
3	2 GB kit (1 GB×2)	DDR3 PC3-10600•CL=9 • REGISTERED • ECC • DDR3-1333 • 1.5V
4	2 GB	DDR2 PC2-5300FB • CL=5 • FULLY BUFFERED • ECC • DDR2-667 • 1.8V

• (1,2,3,4) Σε όλες τις ονομασίες το μέγεθος της μνήμης σε GB ξεχωρίζει στην αρχή του ονόματος.

• (3) Στη τρίτη γραμμή έχουμε ένα dual-channel κιτ, το οποίο σημαίνει ότι είναι 2 πανομοιότυπα module μνήμης.

• (1,3) Για το PC3-10600 υπενθυμίζουμε ότι αφορά το Peak Transfer Rate σε Megabyte ανά δευτερόλεπτο (MB/s).

• (2) Το γράμμα Ε ή στο τέλος PC3-12800E δηλώνει ότι το module είναι ECC - το οποίο αναφέρουν και με πλήρες λεκτικό στη συνέχεια του ονόματος.

• (4) Τα γράμματα FB ή στο τέλος PC2-5300FB δηλώνουν ότι το module είναι Fully Buffered - το οποίο αναφέρουν και με πλήρες λεκτικό στην συνέχεια του ονόματος.

• (1,2,3,4) Οι τιμές DDR3-1600, 1333 κ.λπ. αναφέρονται στη ταχύτητα σε MHz.

• (1,2,3,4) Οι τιμές 1.35V, 1.5V κ.λπ. αναφέρονται στην τάση που χρειάζονται για λειτουργήσουν, η οποία μπορεί να αλλαχτεί από το BIOS αν θέλουμε να πειραματιστούμε με overclocking.

---

Διαδραστική Άσκηση

Σε περίπτωση που δεν φορτώνει η διαδραστική άσκηση, κάντε κλικ εδώ για να την ανοίξετε σε νέο παράθυρο.

---

---

CL Rating

• Ένα χαρακτηριστικό που δεν έχουμε αναφέρει σε προηγούμενο κεφάλαιο είναι η αξιολόγηση CL / CL Rating (Column Address Strobe [CAS] Latency) η οποία αφορά το ποσό του χρόνου (σε κύκλους ρολογιού) που θα περάσει μέχρι ο επεξεργαστής να εντοπίσει μία διεύθυνση μνήμης και μετά να προχωρήσει σε επόμενη διεύθυνση μνήμης.
  Σκεφτείτε τη μνήμη σας ως ένα πίνακα με γραμμές και στήλες και κάθε κελί σε αυτό το πίνακα έχει μία διεύθυνση μνήμης. To CAS σήμα ορίζει ποια στήλη μνήμης θα επιλεχθεί. Το RAS (Row Address Strobe) σήμα ορίζει ποια γραμμή θα επιλεχθεί. Η τομή αυτών των δύο μας δίνει τη διεύθυνση του κελιού όπου είναι αποθηκευμένο το δεδομένο (byte) που αναζητούμε. Όσο μικρότερη είναι η τιμή του CL τόσο πιο γρήγορα μπορεί η μνήμη να εντοπίσει ένα κελί στον πίνακα. Αν χρησιμοποιείτε module μνήμης με διαφορετικές τιμές CL θα συγχρονιστούν στην ταχύτητα της πιο αργής μνήμης.
  

  

  Σχήμα 6.4.5.1  Γραφική αναπαράσταση πίνακα με διευθύνσεις μνήμης.
  
  

  Σε κάποια module μνήμης θα δείτε ένα αυτοκόλλητο με μια σειρά αριθμών στη μορφή "7-8-7-24" ή "CL7-8-7-24"
  

  

  Σχήμα 6.4.5.2  RAM Timings

  
  

Αυτοί οι αριθμοί ονομάζονται RAM timings ή χρονισμός μνήμης. Θα δούμε ένα πολύ απλό παράδειγμα "CL3-1-1-1" σε SIMM μνήμης που μεταφέρει μόνο 32-bit μνήμης και οι μεταφορές γίνονται μία φορά σε κάθε κύκλο ρολογιού.

Ο πρώτος αριθμός είναι το CL Rating που αναφέραμε προηγουμένως, άρα χρειάζονται 3 κύκλοι ρολογιού για να σταλθεί το πρώτο byte (8 bits), τα επόμενα 3 bytes αποστέλλονται σε ένα κύκλο ρολογιού το καθένα. Άρα συνολικά απαιτούνται 6 κύκλοι ρολογιού για να μεταφερθούν συνολικά 32bits. Στις DDR μνήμες υπενθυμίζουμε ότι γίνονται 2 μεταφορές ανά κύκλο ρολογιού.

• Προαιρετικά: Αν σας ενδιαφέρει να εμβαθύνετε στην ορολογία των χρονισμών μνήμης μπορείτε να δείτε το παρακάτω βίντεο στα Αγγλικά: